| 摘要 |
<p>Dargestellt und beschrieben ist eine Vorrichtung zur Erzeugung einer Vielzahl von Niedertemperatur-Plasmajets (5) mittels hochfrequenter Leistung unter Ausnutzung von Hohlkathodenentladungen in mindestens einer Hohlkathodenkammer (32), die von einer Hohlkathode (12) umgeben ist, die eine Einlaßöffnung (15) für ein Arbeitsgas umfaßt, mit wenigstens einer der Hohlkathode (12) benachbarten Anode (11), wobei die Hohlkathode (12) und die Anode (11) gegenüberliegende Öffnungen (6, 7) aufweisen, durch die die Plasmajets (5) von der Hohlkathodenkammer (32) in einen Prozeßraum (33) gelangen. Aufgabe der Erfindung ist es, eine derartige Vorrichtung zu schaffen, die eine homogene Disposition einer funktionalen Schicht (25) auf einem bahnförmigen und gegebenenfalls temperaturempfindlichen Substrat (24) ermöglicht. Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Vorrichtung mehrere separate Hohlkathodenkammern (32) umfaßt und jedem Plasmajet (5) jeweils eine Hohlkathodenkammer (32) als Entladungsraum zugeordnet ist. <IMAGE></p> |
