发明名称 记忆体驱动电路
摘要 一种记忆体驱动电路包括至少一记忆体模组其由多数记忆体元件构成,一记忆体控制器用以驱动该记忆体模组,以及一缓冲器设于记忆体模组与记忆体控制器之间用以接收一来自记忆体控制器之驱动信号并将该接收到之驱动信号传送至记忆体模组。记忆体模组中所产生之信号反射杂讯可藉缓冲器加以吸收。
申请公布号 TW346570 申请公布日期 1998.12.01
申请号 TW086115503 申请日期 1997.10.21
申请人 富士通股份有限公司 发明人 松井范幸;松田正夫;春日和则;登正喜;确井有三
分类号 G06F12/02 主分类号 G06F12/02
代理机构 代理人 康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼;恽轶群 台北巿松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种记忆体驱动电路包含:至少一由多数记忆体元件所构成之记忆体模组;一记忆体控制器用以驱动该记忆体模组;以及一缓冲器,设于该记忆体模组与该记忆体控制器之间,用以接收一来自该记忆体控制器之驱动信号并将该接收之驱动信号传送至该记忆体模组。2.如申请专利范围第1项之记忆体驱动电路,其中该缓冲器之输出阻抗系匹配一线路之输出阻抗俾将该缓冲器连至该记忆体模组。3.如申请专利范围第1项之记忆体驱动电路,其中用以将该缓冲器连至该记忆体模组之该线路之阻抗系设定为一値而该値落入该记忆体模组可忍受之阻抗范围内。4.如申请专利范围第1项之记忆体驱动电路,其中该缓冲器所输出之信号値之转移时间系设定为等于或大于一时间而该信号于该时间内系经由该记忆体模组内而传播者。5.一种记忆体驱动电路包含:至少一连接器而一记忆体模组系连至该连接器;一记忆体控制器用以驱动该记忆体模组;以及一缓冲器,设于该连接器与该记忆体控制器之间,用以接收一来自该记忆体控制器之驱动信号并将该接收之驱动信号传送至该记忆体模组。图式简单说明:第一图系一图式揭示本发明之一记忆体驱动电路之结构;第二图系一图式显示一DRAM之内部组态;第三图系一图式揭示一记忆元之内部组态;第四图系一图式(1)显示第一图之点c之信号波形;第五图系一图式(1)显示第一图之点b之信号波形;第六图系一图式(1)显示第一图之点a之信号波形;第七图系一图式(2)显示第一图之点c之信号波形;第八图系一图式(2)显示第一图之点b之信号波形;第九图系一图式(2)显示第一图之点a之信号波形;以及第十图系一图式揭示一习知记忆体驱动电路之结构。
地址 日本