| 主权项 |
1.一种矽晶圆,具有CVD膜形成在一主面上,且具有另一主面镜面抛光,其中CVD膜之成份且/或组成在膜之厚度方向改变。2.如申请专利范围第1项之矽晶圆,其中CVD膜包含SiOx,且下标x改变于0≦下标x≦2之范围内。3.如申请专利范围第1项之矽晶圆,其中CVD膜包含SiNz,且下标z改变于0≦下标z<1.34之范围内。4.如申请专利范围第1项之矽晶圆,其中CVD膜包含SiOxNy,且下标x改变于0≦下标x≦2之范围内,而且下标y改变于0≦下标y<1.34之范围内。5.如申请专利范围第1项之矽晶圆,其中CVD膜是由电浆化学蒸镀而形成。6.如申请专利范围第2项之矽晶圆,其中CVD膜是由电浆化学蒸镀而形成。7.如申请专利范围第3项之矽晶圆,其中CVD膜是由电浆化学蒸镀而形成。8.如申请专利范围第4项之矽晶圆,其中CVD膜是由电浆化学蒸镀而形成。9.一种矽外延晶圆,其中矽单晶薄膜系外延地成长在如申请专利范围第1项之矽晶圆的镜面抛光主面上。10.一种矽外延晶圆,其中矽单晶薄膜系外延地成长在如申请专利范围第2项之矽晶圆的镜面抛光主面上。11.一种矽外延晶圆,其中矽单晶薄膜系外延地成长在如申请专利范围第3项之矽晶圆的镜面抛光主面上。12.一种矽外延晶圆,其中矽单晶薄膜系外延地成长在如申请专利范围第4项之矽晶圆的镜面抛光主面上。13.一种矽外延晶圆,其中矽单晶薄膜系外延地成长在如申请专利范围第5项之矽晶圆的镜面抛光主面上。14.一种矽外延晶圆,其中矽单晶薄膜系外延地成长在如申请专利范围第6项之矽晶圆的镜面抛光主面上。15.一种矽外延晶圆,其中矽单晶薄膜系外延地成长在如申请专利范围第7项之矽晶圆的镜面抛光主面上。16.一种矽外延晶圆,其中矽单晶薄膜系外延地成长在如申请专利范围第8项之矽晶圆的镜面抛光主面上。17.一种制造矽晶圆之方法,包含以下步骤:以一处理步骤或连续方式,藉由化学蒸镀而形成一CVD膜于矽晶圆的一主面上,其方式使得CVD膜之成份且/或组成在膜之厚度方向改变,其中矽晶圆在另一主面上具有一镜面抛光面。18.如申请专利范围第17项之制造矽晶圆之方法,其中在形成CVD膜之前,在形成CVD膜于其上的矽晶圆之主面被蚀刻或镜面抛光。19.如申请专利范围第17项之制造矽晶圆之方法,其中CVD膜是由电浆化学蒸镀而形成。20.如申请专利范围第18项之制造矽晶圆之方法,其中CVD膜是由电浆化学蒸镀而形成。图式简单说明:第一图A至第一图D为图形,指出依据本发明之范例处理,用于制造矽晶圆及矽外延晶圆;第二图是一图形,指出例子1中形成在矽晶圆的后表面上之电浆CVD膜的组成及成份;及第三图是一图形,指出例子2中形成在矽晶圆的后表面上之电浆CVD膜的组成及成份。 |
