| 主权项 |
1.一种LC复合元件,其特征为:具有含有磁性体材料 与诱 电体材料二者的基体,与在前述基体内部所形成之 ,螺旋 状构造内侧之磁束互相并行且互相成反方向般,并 在相互 并列的同时具有相互连接着2个螺旋状构造的感应 器,以 及在前述基体内部所形成,由平行平面板所构成的 电容器 。2.如申请专利范围第1项之LC复合元件,其中上述 电容器 ,是以形成在构成前述感应器之2个螺旋状构造之 夹住的 位置上为其特征。3.如申请专利范围第1项或第2项 之LC复合元件,其中构成 上述电容器之平行平面板的一方,是以连接在前述 感应器 之中间位置上为其特征。4.一种LC复合元件,其特 征为:具有含有磁性体材料与诱 电体材料二者之基体,与在前述基体外面上所形成 的第1 及第2端子电极,与在前述基体外面上所形成的接 地电极 ,与在前述基体内部所形成之,安装在前述第1端子 电极 与前述第2端子电极之间,横跨复数层由形成螺旋 状之导 体膜所构成的感应器,以及在前述基体内部形成之 ,安置 在前述感应器之各个不同之中间点与前述接地电 极之间的 2个以上的电容器。5.一种LC复合元件,其特征为:具 有含有磁性体材料与诱 电体材料二者之基体,与具备了在前述基体内部所 形成之 构成着T型、型或多段型横列通道之LC过滤电路 的感应 器及电容器,在将前述LC过滤电路的遮断周波数做 为fc, 将前述感应器1个分的感应系数做为L,且将前述感 应器上 等値并列连接着的残留电容器的该感应器之1个分 的电容 做为C时,该残留电容器以具有满足下式之电容为 特征图式简单说明:第一图是本发明之第1.第2.第3 之LC复 合元件之一实施形态上的共通分解斜视图。第二 图是本发 明之第1.第2.第3之LC复合元件的一实施形态上的共 通 外观图。第三图是本发明之第1.第2之LC复合元件 的一实 施形态上的共通等値电路图。第四图是如第一图 所示构造 之过滤电路的模式配置图。第五图是表示了横跨2 个螺旋 构造之磁场的模式图。第六图A及第六图B是表示 如第一图 所示之分解斜视图的LC复合元件的各制造工程中 的第1工 程图。第七图A及第七图B是表示如第一图所示之 分解斜视 图之LC复合元件的各个制造工程中的第2工程图。 第八图A 及第八图B是表示如第一图所示之分解斜视图之LC 复合元 件的各个制造工程中的第3工程图。第九图A及第 九图B是 表示如第一图所示之分解斜视图之LC复合元件的 各个制造 工程中的第4工程图。第十图A及第十图B是表示如 第一图 所示之分解斜视图之LC复合元件的各个制造工程 中的第5 工程图。第十一图A及第十一图B是表示如第一图 所示之分 解斜视图之LC复合元件的各个制造工程中的第6工 程图。 第十二图A及第十二图B是表示如第一图所示之分 解斜视图 之LC复合元件的各个制造工程中的第7工程图。第 十三图A 及第十三图B是表示如第一图所示之分解斜视图之 LC复合 元件的各个制造工程中的第8工程图。第十四图A 及第十四 图B是表示如第一图所示之分解斜视图之LC复合元 件的各 个制造工程中的第9工程图。第十五图是仅有一个 螺旋构 造的LC复合元件的分解斜视图。第十六图是如第 十五图所 示之LC复合元件的模式配置图。第十七图是表示 有关于如 第十五图所示之LC复合元件的螺旋构造磁场的模 式图。第 十八图是表示如第一图所示之左右2处卷状螺旋构 造之过 滤器的过滤特性与如第十五图所示之中央1处卷状 螺旋构 造之过滤器的过滤特性实验资料的图面。第十九 图是表示 1层品、3层品、5层品、7层品之LC过滤电路之过滤 特性的 实验资料图。第二十图是为本发明之第3LC复合元 件之一 实施形态上的等値电路图。 |
