| 发明名称 |
HIGH SPEED DATA TRANSFERING CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR0153602(B1) |
申请公布日期 |
1998.12.01 |
| 申请号 |
KR19950033822 |
申请日期 |
1995.10.04 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO.,LTD |
发明人 |
PARK, CHAN-JONG |
| 分类号 |
H03K19/0175;G11C7/10;G11C11/407;(IPC1-7):G11C11/407 |
主分类号 |
H03K19/0175 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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