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经营范围
发明名称
FAULT CELL REPAIR CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY
摘要
申请公布号
KR0157339(B1)
申请公布日期
1998.12.01
申请号
KR19950017840
申请日期
1995.06.28
申请人
SAMSUNG ELECTRONICS CO.,LTD
发明人
NAM, HYO-YUN;SEO, YONG-HO
分类号
G11C11/413;G11C29/00;G11C29/04;(IPC1-7):G11C29/00
主分类号
G11C11/413
代理机构
代理人
主权项
地址
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