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发明名称 OXIDATION METHOD USING INERT GAS
摘要
申请公布号 KR0156102(B1) 申请公布日期 1998.12.01
申请号 KR19890018836 申请日期 1989.12.18
申请人 LG SEMICONDUCTOR CO.,LTD 发明人 KIM, HEE-SUK
分类号 H01L21/316;(IPC1-7):H01L21/316 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
主权项
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