| 发明名称 |
A TRENCH DMOS TRANSISTOR AND METHOD OF MAKING THE SAME |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR0159073(B1) |
申请公布日期 |
1998.12.01 |
| 申请号 |
KR19950035598 |
申请日期 |
1995.10.16 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO.,LTD |
发明人 |
JUN, CHANG-KI |
| 分类号 |
H01L29/739;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/739 |
主分类号 |
H01L29/739 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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