| 发明名称 |
NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, NON-VOLATILE MEMORY CELL AND METHOD OF ADJUSTING THE THRESHOLD VALUE OF THE NON-VOLATILE MEMORY CELL AND EACH OF PLURAL TRANSISTORS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR0156590(B1) |
申请公布日期 |
1998.12.01 |
| 申请号 |
KR19940074807 |
申请日期 |
1994.12.29 |
| 申请人 |
NKK KK |
发明人 |
HIROSHI, KOTO;ASAKAWA, TOSHIFUMI |
| 分类号 |
G11C17/00;G11C11/56;G11C16/04;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/16;G11C16/24;G11C16/28;G11C16/34;G11C27/00;(IPC1-7):G11C16/06 |
主分类号 |
G11C17/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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