| 摘要 |
<P>L'invention concerne un étage de sortie de puissance (30) pour la commande de cellules d'écran à plasma. Il comprend deux transistors de charge et de décharge (38, 40) de type VDMOS à canal N, le transistor de charge étant agencé de sorte à former un transistor de type P composite. Ces transistors permettent de fournir un courant de charge à une sortie (34) et d'absorber un courant de décharge provenant de cette sortie. Deux inverseurs (46, 52) sont dimensionnés de sorte que le potentiel de la grille de commande du transistor de charge (38) chute plus rapidement que le potentiel de la sortie lorsque l'on commande une décharge de cette sortie. On réalise, ainsi, un étage de sortie d'encombrement limité et sans risque de conduction simultanée des transistors de charge et de décharge.</P> |
