| 摘要 |
<p>Bei einem Thyristor mit Selbstschutz mit einem in Serie mit dem Thyristor liegenden MOSFET (M1) und einem zweiten selbstgesteuerten MOSFET (M2) zwischen p-Basis des Thyristors und äußerer Kathode (KA) sind in einer Halbleiterscheibe mehrere Einheitszellen für die Thyristoren in Parallelschaltung angeordnet. Es ist vorgesehen, daß die Spannung am Serien-MOSFET (M1) als Indikator für Überstrom und Übertemperatur dient, daß ein weiterer MOSFET (M4) vorgesehen ist, dessen Source(-Gebiet) mit der Source des Serien-MOSFETs (M1), dessen Drain mit dem Gate des Serien-MOSFETs (M1) und dessen Gate mit dem Drain des Serien-MOSFETs (M1) leitend verbunden sind und daß zwischen der Gateelektrode (G1) des Serien-MOSFETs (M1) und dem Gate (G) des Bauelements ein Widerstand (Rg) vorgesehen ist.</p> |
