| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种高耐压台面型半导体器件及其制造方法,在该半导体器件中,可在台面槽的所有部分上稳定地形成具有足够厚度的绝缘保护层,结果,可减少高耐压特性的离散度,同时能大幅度改善起因于台面槽的形成的、由于在后工序中的台面槽部处的裂纹及缺陷而引起的加工成品率的下降。 | ||
| 申请公布号 | CN1199930A | 申请公布日期 | 1998.11.25 |
| 申请号 | CN98108385.4 | 申请日期 | 1998.05.19 |
| 申请人 | 松下电子工业株式会社 | 发明人 | 名仓英明;川岛勇;中村秀和;小谷寿太郎 |
| 分类号 | H01L29/70;H01L29/76;H01L21/76;H01L21/31;H01L21/328;H01L21/334 | 主分类号 | H01L29/70 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，包括：在半导体衬底的上部设置的厚度为D3的一导电型区；在所述一导电型区的规定区域的周围设置的宽度宽的、浅的第1槽(宽度为W1，深度为D1)；在所述第1槽的区域中设置的比所述第1槽的宽度窄的第2槽(宽度为W2，深度为D2)；以及至少覆盖所述第2槽的电绝缘物。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||