| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体装置及其制造方法,其中在半导体衬底上形成绝缘膜,在绝缘膜上开接触孔,使接触孔与半导体衬底连接,在绝缘膜的上边形成存储电极,形成覆盖存储电极的表面的电介质膜,在被电介质膜覆盖的存储电极的上边形成平板电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1199928A | 申请公布日期 | 1998.11.25 |
| 申请号 | CN98101852.1 | 申请日期 | 1998.05.12 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 木村笃史 |
| 分类号 | H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/28 | 主分类号 | H01L27/108 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征是具有：半导体衬底；在该半导体衬底上形成的绝缘膜；在该绝缘膜上开口的接触孔，其与半导体衬底连接，以及沿着绝缘膜的上表面扩展的筒状部分的存储电极；覆盖该电极的表面的电介质膜；以覆盖该电介质膜的形态形成于存储电极上的平板电极，且在存储电极的筒状部分的内面上已形成的凸出部分。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||