热电器件及其制造方法

摘要

一种热电器件在Bi－Sb－Te或Bi－Te－Se的半导体基体与沉积其上的扩散阻挡层之间具有增强的附着强度,用于阻止焊接材料扩散进半导体基体。在半导体基体与Mo、W、Nb及Ni的扩散阻挡层之间形成一Sn合金层用于增强附着强度。通过锡与半导体的至少一种元素的相互扩散;从而在与半导体基体的界面处形成Sn合金。可以看出当Sn扩散半导体基体时不会降低其热电性能并提供与扩散阻挡层的金属元素的足够的附着强度。该热电器件是通过以下步骤制成的:a)制备具有相对面的热电半导体;b)在热电半导体的每个所述相对面上沉积一锡层;c)将Sn与热电半导体的至少一种元素相互扩散,从而在每个相对面上形成Sn合金层;d)在每个Sn合金层上沉积一Mo、W、Nb或Ni的扩散阻挡层。

主权项

1.一种热电器件，其特征在于包含：Bi-Sb-Te或Bi-Te-Se的热电半导体，所述热电半导体合金具有相对的面；在所述半导体的每个所述相对面上沉积一锡合金层，所述锡合金层包含作为主要金属元素的锡，其与所述半导体的至少一种元素相互扩散来形成至少一种锡合金，这种锡合金是从包含Sn-Bi合金、Sn-Te合金、Sn-Sb合金、Sn-Se合金、Sn-Bi-Te合金、Sn-Bi-Sb合金、Sn-Bi-Se合金、Sn-Te-Se合金及Sn-Te-Sb合金的组中选出的，所述锡合金是以固溶体、金属互化物及其组合中的一种形式出现；在每个所述锡合金上沉积一扩散阻挡层，所述扩散阻挡层由从含有Mo、W、Nb及Ni的组中选出的至少一种元素所构成，用于防止所述热电半导体的元素和用于电连接所述热电半导体与外部电路的焊接材料的扩散。