高密度掩模式只读存贮体

摘要

一种高密度掩模式只读存贮体（ＭＡＳＫ ＲＯＭ）的解码线路与布局改良，其中使用并联式的架构（ＮＯＲ ＴＹＰＥ），包括许多存储区间，利用区间选择线路（ＢＬＯＣＫ ＳＥＬＥＣＴ）先选择一个区间，再以字线（ＷＯＲＤ ＬＩＮＥ）选定数据，由位线（ＢＩＴ ＬＩＮＥ）将数据送出，而构成区间选择开关的金属氧化物场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）共用栅极（ＧＡＴＥ），因此大大提高了集成密度及读取速度。

主权项

1、一种高密度掩模式只读存贮体，其中每一存贮区间由许多存贮单元晶体管组成；其特征在于所述高密度掩模式只读存贮体包括：区间选择线路，是由许多金属氧化物场效应晶体管构成，每三个金属氧化物场效应晶体管形成一选择开关单元；位线金属连线，藉由接触窗及开关用的晶体管连接各区间；虚拟地线金属连线，藉由接触窗及开关用的晶体管连接各区间；字线多晶硅导体，控制存贮单元晶体管的栅极；局部连线N埋层，作为存贮单元晶体管的源极或栅极及连线；区间选择多晶硅导体，控制区间与位线、虚拟地线之间的导通与否。