| 发明名称 | 半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 在制作半导体器件过程中,在形成于硅衬底之上的氧化硅薄膜上,形成具有预定厚度并且与硅衬底电连接的非晶态硅层。通过非晶态硅层进行离子注入,由此混合氧化硅膜与非晶态硅层之间的界面。通过退火非晶态硅层并照射预定材料,在非晶态硅层表面形成成核体。把有成核体的非晶态硅层进行退火,以成核体为中心,在非晶态硅表面形成凸起。 | ||
| 申请公布号 | CN1199246A | 申请公布日期 | 1998.11.18 |
| 申请号 | CN98101627.8 | 申请日期 | 1998.04.22 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 山本一郎 |
| 分类号 | H01L21/8242;H01L21/28;H01L21/324;H01L27/108 | 主分类号 | H01L21/8242 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司1300室 | 代理人 | 穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种制作半导体器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：在形成于硅衬底上的氧化硅薄膜(102，202)上形成预定厚度并与所说硅衬底(101，201)电连接的非晶态硅层(103，203，208)；通过所说非晶态硅层进行离子注入，由此混合所说氧化硅膜与所说非晶态硅层之间的界面；对所说的非晶态硅层进行退火同时照射预定的材料，在所说非晶态硅表面形成成核体(104，204)；对有所说成核体的所说非晶态硅层进行退火，用所说成核体作为中心，在所说非晶态硅的所说表面上形成凸起(107，207)。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||