发明名称 | 高性能混频器及其设计方法 | ||
摘要 | 一个双重双平衡混频器包括第一和第二射频平衡-不平衡变换器以及第一、第二本地振荡平衡-不平衡变换器,均在介质基片上加工成型,并被连接到两个二极管环形电路。一个中频端口亦被连接到两个二极管环形电路。微带线混频器的特定尺寸被仔细地选择,以提供高的动态范围,对内交叉调制的强有力的抑制,低的变频损耗和低的本地振荡器输入功率。该特定设计的混频器的尺寸选择与常规混频器设计原理相反。例如:本地振荡器或射频的平衡-不平衡变换器的微带被设计成其长度远小于LO或RF频率的一个四分之一波长。 | ||
申请公布号 | CN1199514A | 申请公布日期 | 1998.11.18 |
申请号 | CN96197498.2 | 申请日期 | 1996.08.21 |
申请人 | 艾利森公司 | 发明人 | 李力游;E·格拉译布罗克 |
分类号 | H03D9/06;H01P5/10 | 主分类号 | H03D9/06 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;陈景峻 |
主权项 | 1.一种微带混频器,包括:一个介质基片;一个本地振荡器输入端口,接收400-900MHz范围的本地振荡器信号;一个射频输入端口,接收400-900Mhz范围的射频输入信号;一个中频输出端口;第一和第二个二极管环形电路;一个变压器,其一边连接到二极管环形电路,另一边连接到中频输出端口;第一和第二平衡-不平衡变换器,其第一长度小于本地振荡器频率的一个四分之一波长,在介质基片上形成,其每一个的一端被连接到本地振荡器输入端口,其相对端被连接到一个二极管环形电路的一端上。第三和第四平衡-不平衡变换器,其第二长度小于射频频率的一个四分之一波长,在介质基片上形成,其每一个的一端被连接到射频频率输入端口,其相对端被连接到一个二极管环形电路的一端上,其中第一和第二平衡-不平衡变换器与第三、第四平衡-不平衡变换器相连接,第一长度小于第二长度。 | ||
地址 | 美国北卡罗莱纳州 |