半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种半导体器件及其制造方法,既解决阈值和扩散层漏泄电流的权衡关系,又不必分几次形成栅极氧化膜。因N型沟道MOS晶体管T41～T43的栅极4A～4C中的氮的剂量各不相同,故氮导入区N1～N3的氮的浓度也各不相同,阈值要求越高,栅极中的氮的浓度越高,按照该顺序来构成。

主权项

1.一种在半导体衬底上至少具有1个晶体管的半导体器件，其特征在于，上述至少1个晶体管具有在上述半导体衬底的表面形成的第1导电型半导体层、在上述半导体层内有选择地形成的第1导电型沟道掺杂层、和在上述半导体层的上部的与上述沟道掺杂层相对的位置上形成的控制电极，上述控制电极具有多晶硅层，该多晶硅层在其内部具有第2导电型杂质和氮，上述氮导入上述多晶硅层的下部一侧，使上述杂质具有在上述多晶硅层的上部一侧浓度较高而在下部一侧浓度较低的浓度分布。