| 发明名称 |
JUNCTION GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH10303217(A) |
申请公布日期 |
1998.11.13 |
| 申请号 |
JP19970105846 |
申请日期 |
1997.04.23 |
| 申请人 |
SONY CORP |
发明人 |
NAKAMURA MITSUHIRO;TONERIKAWA SUSUMU |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/337;H01L29/808;(IPC1-7):H01L21/337 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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