| 主权项 |
1.一种筒状复晶矽模组之制造方法,应用在半导体积体电路之动态随机存取记忆体中,其中该筒状复晶矽模组包括一矽基底、场氧化层、氧化层、氮化矽层及一筒状复晶矽,该制造方法包括下列步骤:a.利用一化学气相沈积法,在氮化矽层的表面上沈积一层氧化层;b.定义该氧化层之筒状接触窗图案;c.沉积一层复晶矽;d.覆盖一层介电层于该复晶矽的表面;e.回蚀刻形成一旋涂式玻璃插塞;f.利用沈积法,形成一牺牲层;g.回蚀刻该牺牲层及该复晶矽,且该牺牲层与该复晶矽之蚀刻速率相同;h.去除剩余牺牲层与该旋涂式玻璃插塞及剩下的筒状氧化层,剩下复晶矽,此即完成筒状复晶矽模组。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该筒状复晶矽模组可以是圆筒状复晶矽模组。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤a可为低压化学气相沈积法。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤b可以光罩制版和蚀刻技术来定义。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤c是在清洗之后才沉积一层复晶矽。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤d为旋转式涂盖法。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,在步骤d中该层介电层为溶液式二氧化矽。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,在步骤e中,该旋涂式玻璃插塞的高度低于该该复晶矽的高度。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,在其步骤f中该层牺牲层以电浆化学气相沈积法并以TEOS为反应气体所形成之二氧化矽层。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤g是用乾式蚀刻法并加入CF4与SF6气体。11.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该CF4与SF6气体之比率约为3:1。12.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤h是用湿式蚀刻法。13.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中该湿式蚀刻法可为缓冲氧化蚀刻法。14.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中该湿式蚀刻法可为氢氟酸法。图式简单说明:第一图至第八图系一系列剖面图,用以解释本发明的一种筒状复晶矽模组之制造方法之一较佳实施例。 |
