| 主权项 |
1.一种半导体基板之研磨方法,其特征在于:将研磨剂供给到被载置在具有可进行平面运动之平坦面之定盘的上述平坦面,而具有弹性之研磨垫上的研磨剂供给工程,将半导体基板边按压上述研磨垫之圆形的第1领域,而边对上述半导体基板进行研磨之基板研磨工程,以及按压上述研磨垫的第2领域,而使上述第2领域弹性变形的垫按压工程。2.如申请专利范围第1项之半导体基板之研磨方法,在上述垫推压工程中之推压上述研磨垫之第2领域的按压力则与在上述基板研磨工程中之按压上述研磨垫之第1领域之按压力相等或是较大。3.如申请专利范围第1项之半导体基板之研磨方法,上述平面运动为旋转运动。图式简单说明:第一图系本发明之第1实施形态之半导体基板之研磨装置的概略立体图。第二图系表在本发明之第1-第5实施形态之半导体基板之研磨装置中之垫按压部的形状的平面图。第三图系表本发明之第6实施形态之半导体基板之研磨装置中之垫加压机构的概略断面图。第四图系表本发明之第7实施形态之半导体基板之研磨装置的概略立体图。第五图系表在本发明之第7-第9实施形态之半导体基板之研磨装置之垫加压部的形状的概略立体图。第六图系表在本发明之第10-第12实施形态之半导体基板之研磨装置之垫加压部的形状的概略立体图。第七图系表用于说明藉由本发明之第7实施形态之半导体基板之研磨装置中的垫加压辊来推压研磨垫产生弹性变形之状态的概略断面图。第八图系表第1习知半导体基板之研磨装置之概略立体图。第九图系定性地表示在习知之半导体基板之研磨方法及相对于该装置中之研磨垫的加压时间以及加压后之研磨垫之回复时间与研磨垫之厚度的关系图。第十图系表用于说明在习知之半导体基板之研磨方法及其装置中,研磨垫与半导体基板相接,而承受压力的时间不同之情形的说明图。第十一图系表用于说明习知之半导体基板之研磨方法及其装置之问题的研磨垫的概略断面图。第十二图系表第2习知半导体基板之研磨装置之概略断面图。 |
