用以覆盖半导体器件上的孔的改进基层结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种形成于孔中的基层结构,所说孔的上部直径大于孔其它部分的直径。孔形成于半导体器件的绝缘层中。基层结构包括在至少孔的上部的一部分上和至少靠近孔顶部的绝缘层的一部分之上延伸的基层,其中在所说上部延伸的基层在高度方向有一有效厚度,该厚度大于绝缘膜上的基层的厚度,还大于使至少孔上部上面的部分基层在各向异性腐蚀工艺后能够保留下来,而利用各向异性腐蚀工艺将绝缘层上延伸的基层腐蚀掉的临界厚度。

主权项

1.一种形成于孔中的基层结构，所说孔的上部直径大于孔其它部分的直径，所说孔形成于半导体器件的绝缘层中，所说基层结构包括在至少所说孔的所说上部的一部分上和至少靠近所说孔顶部的所说绝缘层的一部分之上延伸的基层，其中在所说上部上延伸的所说基层在高度方向有一有效厚度，该厚度大于所说绝缘膜上的所说基层的厚度，还大于使至少所孔的所说上部上面的部分所说基层在各向异性腐蚀工艺后能够保留下来，而利用各向异性腐蚀工艺所说将绝缘层上延伸的所说基层腐蚀掉的临界厚度。