发明名称 非对称晶闸管的阳极侧的短路结构
摘要 本发明的晶闸管在阳极(1)和阴极(2)间的半导体衬底(3)中包含一个由一个N型发射层(4)、一个P型基层(5),一个N型基层(6)和一个P型发射层(7)所组成的层系。P型发射层(7)被阳极短路区(8)分割,并因而被分成区段。另外,阳极短路区(8)将N型基区(6)同阳极(1)短路。在阳极短路区(8)和P型发射区层(7)之间布置一个P型阻挡层(9),又称P型软层。按照本发明,此阻挡层(9)具有空白区(12),在此空白区中,N型基区(6)要么直接地,要么经过短路区(8),与阳极(1)接触。
申请公布号 CN1040710C 申请公布日期 1998.11.11
申请号 CN95106548.3 申请日期 1995.06.06
申请人 亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司 发明人 P·施特赖特
分类号 H01L29/74 主分类号 H01L29/74
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 崔幼平;林道棠
主权项 1.带有一个阳极(1)和一个阴极(2)的可断开的、非对称阻断型晶闸管,它包括:a)在阳极(1)和阴极(2)之间的半导体衬底(3)中的由一个N型发射层(4)、一个P型基层(5)、一个N型基层(6)和一个P型发射层(7)所组成的层系;其中b)P型发射区(7)被阳极短路区(8)分割;以及c)在阳极短路区(8)之间或在P型发射层(7)之间布置了一个阻断层(9);其特征在于d)P型阻断层(9)具有条形空白区(12),在此空白区内N型基区(6)直接地或经过阳极短路区(8)与阳极(1)接触,两个条形空白区(12)的间距至少是两个短路区(8)的间距的两倍。
地址 瑞士巴登