发明名称 | 非对称晶闸管的阳极侧的短路结构 | ||
摘要 | 本发明的晶闸管在阳极(1)和阴极(2)间的半导体衬底(3)中包含一个由一个N型发射层(4)、一个P型基层(5),一个N型基层(6)和一个P型发射层(7)所组成的层系。P型发射层(7)被阳极短路区(8)分割,并因而被分成区段。另外,阳极短路区(8)将N型基区(6)同阳极(1)短路。在阳极短路区(8)和P型发射区层(7)之间布置一个P型阻挡层(9),又称P型软层。按照本发明,此阻挡层(9)具有空白区(12),在此空白区中,N型基区(6)要么直接地,要么经过短路区(8),与阳极(1)接触。 | ||
申请公布号 | CN1040710C | 申请公布日期 | 1998.11.11 |
申请号 | CN95106548.3 | 申请日期 | 1995.06.06 |
申请人 | 亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司 | 发明人 | P·施特赖特 |
分类号 | H01L29/74 | 主分类号 | H01L29/74 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 崔幼平;林道棠 |
主权项 | 1.带有一个阳极(1)和一个阴极(2)的可断开的、非对称阻断型晶闸管,它包括:a)在阳极(1)和阴极(2)之间的半导体衬底(3)中的由一个N型发射层(4)、一个P型基层(5)、一个N型基层(6)和一个P型发射层(7)所组成的层系;其中b)P型发射区(7)被阳极短路区(8)分割;以及c)在阳极短路区(8)之间或在P型发射层(7)之间布置了一个阻断层(9);其特征在于d)P型阻断层(9)具有条形空白区(12),在此空白区内N型基区(6)直接地或经过阳极短路区(8)与阳极(1)接触,两个条形空白区(12)的间距至少是两个短路区(8)的间距的两倍。 | ||
地址 | 瑞士巴登 |