| 摘要 |
Dans un dispositif conforme à l'invention, des transistors (T41, T42, T43) formés sur un même substrat qui doivent avoir des caractéristiques mutuellement différentes, ont des électrodes de grille (4A, 4B et 4C) qui comprennent respectivement une couche de silicium polycristallin (M1) et une couche de siliciure de tungstène (L1, L2, L3) superposées dans cet ordre sur une pellicule d'oxyde de grille (3). Le rapport entre l'épaisseur de la couche de silicium polycristallin et l'épaisseur de la pellicule de siliciure de tungstène est fixée en fonction des caractéristiques désirées pour chaque transistor et il modifie l'épaisseur effective de l'isolant de grille en modifiant la distribution d'impuretés dans la couche de silicium polycristallin. |
