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发明名称 Verfahren zum Herstellen einer Kapazitätsstruktur auf einem Siliziumsubstrat in einem MOS-Prozeß
摘要
申请公布号 DE19717792(A1) 申请公布日期 1998.11.05
申请号 DE19971017792 申请日期 1997.04.26
申请人 MICRONAS SEMICONDUCTOR HOLDING AG, ZUERICH, CH 发明人 FRERICHS, HEINZ-PETER, DR., 79271 ST PETER, DE
分类号 H01L27/04;H01L21/02;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/092;(IPC1-7):H01L27/08;H01L29/94 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
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