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<p>Die Halbleiteranordnung enthält ein laterales Kanalgebiet (22) und ein anschließendes vertikales Kanalgebiet (29) in einem n-leitenden ersten Halbleitergebiet. Bei Überschreiten eines vorbestimmten Sättigungsstromes wird das laterale Kanalgebiet (22) abgeschnürt und der Strom wird auf einen Wert unterhalb des Sättigungsstromes begrenzt.</p> |
