Verfahren zur Herstellung feiner Strukturen und dessen Verwendung zur Herstellung einer Maske und eines MOS-Transistors,申请号DE1996132834-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung feiner Strukturen und dessen Verwendung zur Herstellung einer Maske und eines MOS-Transistors
摘要
申请公布号	DE19632834(C2)	申请公布日期	1998.11.05
申请号	DE1996132834	申请日期	1996.08.14
申请人	SIEMENS AG, 80333 MUENCHEN, DE	发明人	SCHAEFER, HERBERT, DR., 85635 HOEHENKIRCHEN-SIEGERTSBRUNN, DE;FRANOSCH, MARTIN, DIPL.-PHYS., 81739 MUENCHEN, DE;STENGL, REINHARD, DR., 86391 STADTBERGEN, DE;LEHMANN, VOLKER, DR., 80689 MUENCHEN, DE;REISINGER, HANS, DR., 82031 GRUENWALD, DE;WENDT, HERMANN, DR., 85630 GRASBRUNN, DE
分类号	C23C16/04;H01L21/033;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/266;H01L21/28;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/205;H01L21/824	主分类号	C23C16/04
代理机构		代理人
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