| 发明名称 | 非易失性存储器单擦除的多次写入 | ||
| 摘要 | 介绍了一种在对非易失性存储器单元擦除之前进行多次写入的方法。第一位存储在非易失性存储器单元(110,120,130和140)的第一电平。第二位存储在非易失性存储器单元(110,120,130和140)的第二电平。也介绍了一种擦除非易失性存储器单元的方法。增大电平指示器,指示出非易失性存储器单元要写入的下一电平。一种读取非易失性存储器单元的方法包括再调用电平指示器。然后在电平指示器指示的电平读出非易失性单元,以确定存储单元的状态。 | ||
| 申请公布号 | CN1198241A | 申请公布日期 | 1998.11.04 |
| 申请号 | CN96197258.0 | 申请日期 | 1996.09.24 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | R·N·哈斯布恩;F·P·雅内克 |
| 分类号 | G11C7/00 | 主分类号 | G11C7/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;王岳 |
| 主权项 | 1.一种对非易失性存储器进行多次替代写入的方法，包括步骤：在非易失性存储单元的第一电平存储第一位；以及在非易失性存储单元的第二电平存储第二位。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||