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经营范围
发明名称
HIGH BREAKDOWN STRENGTH DIODE AND MANUFACTURE THEREOF
摘要
申请公布号
JPH10294319(A)
申请公布日期
1998.11.04
申请号
JP19970100044
申请日期
1997.04.17
申请人
HITACHI LTD;HITACHI HARAMACHI SEMICONDUCTOR LTD
发明人
MURAKAMI SUSUMU;TSURUOKA MASAO;NARITA KAZUTOYO;TAKAHASHI KIKUO
分类号
H01L21/329;(IPC1-7):H01L21/329
主分类号
H01L21/329
代理机构
代理人
主权项
地址
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