发明名称 HIGH BREAKDOWN STRENGTH DIODE AND MANUFACTURE THEREOF
摘要
申请公布号 JPH10294319(A) 申请公布日期 1998.11.04
申请号 JP19970100044 申请日期 1997.04.17
申请人 HITACHI LTD;HITACHI HARAMACHI SEMICONDUCTOR LTD 发明人 MURAKAMI SUSUMU;TSURUOKA MASAO;NARITA KAZUTOYO;TAKAHASHI KIKUO
分类号 H01L21/329;(IPC1-7):H01L21/329 主分类号 H01L21/329
代理机构 代理人
主权项
地址