| 发明名称 | 气敏元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开一种气敏元件及其制造方法包括：一块其背面的预定部分被腐蚀的半导体基片；在该半导体基片上所形成具有图形凹槽的支撑层；在该图形凹槽上所形成的加热丝；在整个加热丝的表面上所形成的绝缘层；在所说的绝缘层上所形成的电极以及在整个所说的电极的表面上所形成的敏感层。 | ||
| 申请公布号 | CN1040580C | 申请公布日期 | 1998.11.04 |
| 申请号 | CN95115968.2 | 申请日期 | 1995.10.24 |
| 申请人 | LG半导体株式会社 | 发明人 | 朴炫洙;申铉雨;权哲汉;洪炯基;尹童铉;李圭晶;金成泰 |
| 分类号 | G01N27/12;H01L49/00 | 主分类号 | G01N27/12 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 黄敏 |
| 主权项 | 1、一种气敏元件，包含：一块其背面的预定部分被腐蚀的半导体基片；在所说的半导体基片上所形成的其上有图形凹槽的支撑层；在所说的图形凹槽上所形成的加热丝；在整个所说的加热丝的表面上所形成的绝缘层；在所说的绝缘层上所形成的电极；以及在整个所说的的电极的表面上所形成的敏感层。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道 | ||