| 发明名称 |
METHOD FOR MANUFACTURING THE GATE OXIDE FILM OF THIN FILM TRANSISTOR |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
KR0146205(B1) |
申请公布日期 |
1998.11.02 |
| 申请号 |
KR19950007109 |
申请日期 |
1995.03.30 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO.,LTD |
发明人 |
BAE, BYUNG-SUNG |
| 分类号 |
H01L21/28;(IPC1-7):H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
