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经营范围
发明名称
GATE ELECTRODE FORMING METHOD OF TRANSISTOR
摘要
申请公布号
KR0147775(B1)
申请公布日期
1998.11.02
申请号
KR19940028658
申请日期
1994.11.02
申请人
HYUNDAI ELECTRONICS IND. CO.,LTD
发明人
PARK, SANG-HOON
分类号
H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/336
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
地址
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