| 主权项 |
1.一种金氧半导体场效电晶体的闸极氧化物制程,包括:闸极氧化物区预清洗,系用以清洗预留为闸极氧化物区之表面,以得良好之表面特性;形成闸极氧化物层;光阻覆盖;曝光;显影,系用以形成闸极氧化物;离子植入,系用以调整该金氧半导体场效电晶体的电性参数;光阻去除;清洗该闸极氧化物;超纯水活化;以及高温回火。2.如申请专利范围第1项之闸极氧化物制程,其中该高温回火步骤系使用氧气,温度约控制于800℃者。3.如申请专利范围第1项之闸极氧化物制程,其中该闸极氧化物层系于高温炉管中通入含有水分之氧气而形成。4.如申请专利范围第1项之闸极氧化物制程,其中该闸极氧化物层之厚度约为100-120A。5.如申请专利范围第1项之闸极氧化物制程,其中上述之超纯水活化系使用刷洗机,并藉由超纯水(DI water)和旋转晶片摩擦。图式简单说明:第一图显示运用习用之制程技术,所得元件闸极氧化物之电性测试(Ebd,Qbd)之结果。第二图显示运用本发明揭露之制程技术,所得元件闸极氧化物之电性测试(Ebd,Qbd)良率之结果。 |
