于形面上制备矽氧化物层之方法

摘要

1﹒制备-SiO2层作为一种金属间电介质(Inter-metal dielectric-IMD)2.l.SiO2层作为IMD在以前曾用CVD法或用溅涂法，其系非常费工且需用以平化之后续的加工步骤。另外，近来亦曾使用旋涂于玻璃上之方法。但平化在长距离范围上对此法并不适合。新颖之方法须能使Si02层达成优异之局部及球形之平化程度，而导电常数低于以用方法所制Si02层者，以减少寄生电容，而且可以用简单之装置制备。2.2﹒其为在形面上涂敷一溶于有机溶剂之有机二矽氧烷，其经聚合成一聚合物，所形成聚合物再予分解，使聚合物在制程中变成富Si02层。

主权项

1.一种在形面上制备SiO2层以作为金属间电介质( inter- metal dielectric-IMD)之方法,包含下列步骤:a)在形 面上施加溶于有机溶剂之具通式R1(R2)2Si-O-Si(R2)2R1 之有机二矽氧烷,其中R2代表烷基或氢而R1代表一 可聚合 之有机基,b)聚合该有机二矽氧烷,及c)热裂及/或光 解 及/或电子辐射来分解所成聚合物,聚合物在制程 中成一 种富SiO2之物层。2.如申请专利范围第1项之方法, 其中之R1为乙烯基环丁 基并苯基而R2为甲基。3.如申请专利范围第1或2项 之方法,其中所用有机溶剂为 (mesitylene)。4.如申请专利范围第1项之方法,其中溶 于有机溶剂之有 机二矽氧烷是用旋转涂覆法施用。5.如申请专利 范围第2项之方法,其中二乙烯基矽氧烷-双 -苯并环丁烯在250℃之温度被聚合。6.如申请专利 范围第2项之方法,其中聚合物在450℃温度 于至少两个连续热裂循环而被分解。7.如申请专 利范围第1项之方法,其中该形面为铝形面。图式 简单说明:第一图表示二乙烯基矽氧烷-双-苯并环 丁 烯(DVS-BCB)之结构式,第二图表示旋转涂覆之示意图 , 第三图表示已交联DVS-BCB之结构,以及第四图表示 DVS- BCB聚合物之红外光谱,其系在施以热负载之前,和 经历 在450℃两次热负载之后。