| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆体阵列,包含复数扩散水平源 极线, 每一该扩散源极线位于一对平行水平堆叠导体之 间,该记 忆体阵列包含:该复数扩散水平源极线,连接到至 少一个 共同垂直源极导体;该共同之垂直源极导体,包含 在每一 该平行的水平堆叠导体对之下的连续扩散区域;及 该共同 之垂直源极导体,包含一在位于该平行的水平堆叠 导体对 间之接点处耦合至该连续扩散区域之金层导体。2 .如申请专利范围第1项之非挥发性记忆体阵列,其 中每 一该平行之水平堆叠导体系直的。3.如申请专利 范围第1项之非挥发性记忆体阵列,其中该 连续扩散区域包含三价磷掺杂物。4.如申请专利 范围第1项之非挥发性记忆体阵列,其中该 平行之水平堆叠导体系比该连续扩散区域窄。5. 如申请专利范围第1项之非挥发性记忆体,其中尚 包含 在该堆叠导体下方之场氧化物区域,该场氧化物区 域以一 致的距离隔开以分开该记忆体之胞元,该垂直源极 导体位 于至少两个该场氧化物区域之间,其中该两个该场 氧化物 区域系以该一致的间隔隔开。6.如申请专利范围 第1项之非挥发性记忆体,其中该连续 扩散区域扩展以含括一复数之该平行之水平堆叠 导体对。7.如申请专利范围第1项之非挥发性记忆 体,其中每一该 水平堆叠导体包含一层。8.如申请专利范围第1项 之非挥发性记忆体,其中每一该 水平堆叠导体包含二层。9.如申请专利范围第1项 之非挥发性记忆体,其中该连续 之扩散区域包含三价磷。10.一种制作一包含复数 扩散水平源极线之非挥发性记忆 体阵列之方法,每一该扩散之源极线位于一对平行 之水平 堆叠导体间,该方法包含:在该平行之水平堆叠导 体对间 之垂直对齐区域形成扩散区,该扩散区与该扩散源 极线同 时形成,该扩散区形成以在该水平堆叠导体对之下 方连接 。11.如申请专利范围第10项之方法,其中尚包含形 成一在 位于该平行之水平堆叠导体对间之接点处连接至 该扩散区 域之垂直金层导体。12.如申请专利范围第10项之 方法,其中每一该平行之水 平堆叠导体系直的。13.如申请专利范围第10项之 方法,其中该连续扩散区域 包含三价磷掺杂物。14.如申请专利范围第10项之 方法,其中每一该平行之水 平堆叠导体对系比该连续扩散区域窄。15.如申请 专利范围第10项之方法,其中更进一步形成在 该堆叠导体下方之场氧化物区域,该场氧化物区域 以一致 的距离隔开以分开该记忆体之胞元,该垂直源极导 体在至 少两个该场氧化物区域之间形成,其中该两个该场 氧化物 区域系以该一致的间隔隔开。16.如申请专利范围 第10项之方法,其中该连续扩散区域 扩展以含括一复数之该平行之水平堆叠导体对。 17.如申请专利范围第10项之方法,其中每一该水平 堆叠 导体包含一层。18.如申请专利范围第10项之方法, 其中每一该水平堆叠 导体包含二层。19.如申请专利范围第10项之方法, 其中该连续之扩散区 域包含三价磷。图式简单说明:第一图系一非挥发 性记忆 体胞元阵列之电示意图,部分为方块图;第二图系 第一图 之非挥发性阵列之放大俯视图,显示一在源极接点 周围具 有弯曲堆叠之习知技术记忆体阵列布局之一小部 分;第三 图系一在第一图、第二图及第四图之记忆体胞元 阵列中所 用之型式之典型之浮动闸胞元沿着第二图之A-A'线 之剖面 图;第四图系一第一图之非挥发性阵列之放大之俯 视图, 显示本发明之记忆体胞元阵列之一小部分,该阵列 具有直 的堆叠结构且源极接点具有一与汲极接点相同之 配置;第 五图系一本发明之堆叠接点之剖面图,表示第四图 之接合 之垂直源极线扩散,该剖面系第四图之B-B'线所指 示者; 第六图系一本发明之堆叠连接之模拟之剖面图,表 示在堆 叠下接合之对称扩散;第七图系一第六图之堆叠结 构在控 制闸电压VG变化时之I-VG量测图;第八图系一第六图 之堆 叠结构之I-VS量测图,该堆叠具有一0.7m之宽度且 该堆 叠接地;第九图系一第六图之堆叠结构之I-VS量测 图,该 堆叠具有一0.5m之宽度且该堆叠接地;第十图系 一具有 直的堆叠之记忆体胞元阵列之一小部分之一俯视 图,并例 示四个最接近一可程式胞元之源极接点;及第十一 图系一 具有窄的直的堆叠宽度之记忆体胞元阵列之一小 部分之一 俯视图。 |
