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发明名称
An apparatus and a process for depositing semi-conductor material from the gas phaseon to a heated core of semi-conductor material
摘要
申请公布号
GB1040709(A)
申请公布日期
1966.09.01
申请号
GB19630046298
申请日期
1963.11.22
申请人
SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT
发明人
分类号
C23C16/00;C30B13/20
主分类号
C23C16/00
代理机构
代理人
主权项
地址
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