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发明名称
Verfahren zur Herstellung von N-Kanal- und P-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistoren unter Verwendung eines BiCMOS-Verfahrens
摘要
申请公布号
DE69321157(D1)
申请公布日期
1998.10.29
申请号
DE19936021157
申请日期
1993.04.30
申请人
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP., SANTA CLARA, CALIF., US
发明人
MERRILL, RICHARD B., DALY CITY, CALIFORNIA 94014, US;FARRENKOPF, DOUG R., SANTA CLARA, CALIFORNIA 95051, US
分类号
H01L21/8232;H01L21/8238;H01L21/8249;H01L27/06;H01L27/092;(IPC1-7):H01L21/82
主分类号
H01L21/8232
代理机构
代理人
主权项
地址
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