| 发明名称 |
OXIDE FILM MATERIAL, METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND SEMICONDUCTOR ELEMENT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH10287746(A) |
申请公布日期 |
1998.10.27 |
| 申请号 |
JP19970286533 |
申请日期 |
1997.10.20 |
| 申请人 |
TOSHIBA CORP |
发明人 |
MIKOSHIBA SATOSHI;HAYASE SHUJI;NAKANO YOSHIHIKO |
| 分类号 |
C01B33/12;C08G77/04;C08G77/38;C08G77/58;H01L21/312;H01L21/316;(IPC1-7):C08G77/04 |
主分类号 |
C01B33/12 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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