| 主权项 |
1﹒一种绝缘闸场效应半导体装置包括具有一第一表面之一矽本体,自该第一表面上突起之一台地,及在该台地上与第一表面大致成平行之一第二表面。在该台地中邻接该台地各相对侧边之属一种导电型之区域,在该等区域间之该台地之一区域,其导电型与该等区域之导电型相反。在该矽本体之第二表面上之一绝缘物质层,一导电物质层邻接该绝缘物质层,及具有与该矽本体之第二表面电质上成平行之一平面表面,及属绝缘物质之一单层同质体,系在该矽本体第一表面上,并与该台地,该绝缘层,及该导电层成邻接环绕关系,及具有与该矽本体之第一表面相间隔之实质上成平行之一表面,若以与该矽本体之第一表面实质上成垂直之方向量度时,该导电层之平面表面上任何一点与该矽本体之第一表面间之距离系相等或小于自该绝缘物质本体之表面至该矽本体之第一表面间之距离者。2﹒根据上述请求专利部份第1项之一种半导体装置,在其中该导电层为多晶矽者。3﹒根据上述请求专利部份第1项之一种半导体装置,另外包括在该导电层表面上之一第二绝缘物质层,此第二绝缘物质层之一表面系与该绝缘物质本体之表面实质上成平行,并与该绝缘物质本体表面相隔不多于约一千埃者。4﹒根据上述请求专利部份第3项之一种半导体装置,另外包括一导电物质层,此层系邻接于该绝缘物质本体及第二绝缘物质层以行连续延伸者。5﹒根据上述请求专利部份第3项之一种半导体装置,另外包括:在第二绝缘物质层内界定一开口之装置,及一连续导体层邻接于该绝缘物质本体以行延伸及接触该导体层者。6﹒一种半导体装置包括:具有有一表面之一半导体物质之本体,一半导体元件包括在该本体上之一导电物料层,此层系形制成为该元件之一电极,该层具有与该本体之表面大致成平行之一平面表面,及此平面表面系背向该本体,该导电物料层系由本体上一层第一绝缘物料予以邻接包围,该绝缘物料层具有一表面,此表面大致与该本体之该表面并行;并背向本体,再与本体之表面相隔一距离,此距离至少与该导电物料层之平面表面与本体表面相隔之距离一样大;可溶于一种溶媒中之第二绝缘物料层,此种溶媒只对在导电物料层之一部份上之第一绝缘物料无侵蚀作用;以及覆盖及接触该导电物料层,且藉第二绝缘物料层与之成部份绝缘之一导体。7﹒制造一半导体装置之一种方法,包括下列步骤在一半导体本体之一表面上形成一成层结构,此成层结构包括用一绝缘层与该表面隔开之一导体层,该导体层有一表面系以一预定距离与该本体表面相隔开,及其后在该本体上形成对该成层结构成邻接而环绕关系之一绝缘本体者。8﹒根据上述请求专利部份第7项之一种方法,在其中该本体为矽及该绝缘涂层为二氧化矽该绝缘本体之形成步骤系藉氧化该本体历一时间而完成所历之时间乃使该二氧化矽本体之一表面与该本体表面隔开较之该预定距离为大于0埃与约一000埃间之一距离者。9﹒根据上述请求专利部份第8项之一种方法,在其中,在该氧化步骤以前之成层结构形成步骤另外包括:在该导体层之表面上形成一四氮化三矽之氧化遮罩及绝缘层,其厚度为的一000埃者。10﹒根据上述请求专利部份第9项之一种方法,在其中,该导体层系为多晶矽者。11﹒根据上述请求专利部份第10项之一种方法/另外包括在该二氧化矽本体及该四氮化三矽层上沉积一连续导体层者。12﹒根据上述请求专利部份第11项之一种方法,另外包括将该四氮化三矽层之一部份除去以暴露出导体层之表面,及在该二氧化矽本体及该导体层上沉积一导续导体层之各步骤。13﹒制造包括一绝缘闸场效应电晶体之一种半导体装置之方法,本方法包括下列步骤:在矽本体之一表面上制成一成层结构,此成层结构包括在该表面上之原生二氧化矽之一薄层,邻接该薄氧化层之一耐火导电层,及在该导电层上之一四氮化三矽层,该成层结构有彼此相间隔之侧界,其相隔距离实质上等于该绝缘闸场效应电晶体之通道区之长度,将导电性改良剂扩散入邻接该成层结构侧界之该本体之各部份,以制成用pN接面使其与该本体之其余部份隔开之各区,及其后将该本体在一氧化氛围中氧化生长对该成层结构成邻接而环绕关系之一个二氧化矽本体者。 |
