发明名称 CIRCUIT DE LECTURE DE MEMOIRE AVEC DISPOSITIF DE PRECHARGE A COMMANDE DYNAMIQUE
摘要 <P>La présente invention concerne un circuit de lecture de mémoire avec dispositif de précharge à commande dynamique. Elle trouve son application dans le domaine des mémoires non volatiles (EEPROM, flash EPROM) . Elle se caractérise en ce que les moyens de précharge comportent des moyens pour interrompre la précharge de la ligne de bit et de la ligne de référence lorsque le potentiel de ces dernières atteint une valeur limite référencée par rapport à la masse.</P>
申请公布号 FR2762435(A1) 申请公布日期 1998.10.23
申请号 FR19970004927 申请日期 1997.04.16
申请人 SGS THOMSON MICROELECTRONICS SA 发明人 YERO EMILIO MIGUEL
分类号 G11C7/12;G11C7/14;G11C16/28;(IPC1-7):G11C7/00;G11C16/02 主分类号 G11C7/12
代理机构 代理人
主权项
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