| 发明名称 |
MEMORY MULTIPLE-SELECTION TEST CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPH10283800(A) |
申请公布日期 |
1998.10.23 |
| 申请号 |
JP19970097943 |
申请日期 |
1997.04.02 |
| 申请人 |
NITTETSU SEMICONDUCTOR KK |
发明人 |
ISOBE KATSU |
| 分类号 |
G01R31/28;G11C11/401;G11C29/00;G11C29/14;G11C29/34;(IPC1-7):G11C29/00 |
主分类号 |
G01R31/28 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
