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<p>Ce système de traitement au plasma comporte un réacteur à plasma, un premier et un second circuit d'énergie et un circuit d'action en retour. Le premier circuit d'énergie alimente en énergie d'une première fréquence radioélectrique (rf) le réacteur à plasma, cette première énergie étant en mesure de créer une polarisation en continu sur une pièce à traiter placée dans une chambre à plasma. Le second circuit d'énergie alimente en énergie d'une seconde fréquence radioélectrique le réacteur à plasma, cette seconde énergie étant en mesure de diriger le plasma dans la chambre à plasma. Le circuit d'action en retour est raccordé de manière à agir sur le premier circuit d'énergie en détectant au moins un paramètre associé à l'énergie de première fréquence radioélectrique et en produisant un signal de commande de rétroaction destiné au premier circuit d'énergie. Ce dernier adapte l'énergie de première fréquence radioélectrique de manière que le niveau d'énergie des particules ionisées dans la chambre à plasma soit commandé sensiblement par le biais de la polarisation en continu créée par l'énergie de première fréquence radioélectrique. Un second circuit d'action en retour peut également exister qui sert à agir sur le second circuit d'énergie de manière que le niveau de densité du plasma dans la chambre à plasma soit sensiblement commandé.</p> |
