| 主权项 |
1.一种在镀光阻层之前在晶圆上涂敷六甲基二矽氮烷(HMDS)基底的改良方法;提供一具有一入口与一出口的晶圆室、一产生六甲基二矽氮烷蒸气之六甲基二矽氮烷之源、一连接该六甲基二矽氮烷源与该晶圆室之导管、一位于该六甲基二矽氮烷源与该晶圆室之间的导管上之室入口阀,该室入口阀具有开和关的位置、一出口输送管连接该出口与一抽真空器具,该抽真空器具用来抽该出口输送管、该晶圆室、该导管、和该六甲基二矽氮烷源成真空,和一位于该室与该抽真空器具之间的出口输送管上之出口阀,该出口阀具有开和关的位置;和包括:(a)打开该晶圆室,放置晶圆进入该室内和关闭该室;(b)关闭该室入口阀,打开该出口阀,和使用该抽真空器具将该晶圆室抽真空,和关闭该抽真空器具;(c)从该六甲基二矽氮烷源引导六甲基二矽氮烷蒸气进入该导管,和打开该室入口阀而容许六甲基二矽氮烷流入该晶圆室,因而在该晶圆上涂六甲基二矽氮烷基底;(d)关闭该室入口阀,停止来自该源的六甲基二矽氮烷蒸气的导入;使用该抽真空器具将该晶圆室抽真空;和关闭该出口阀;(e)打开该室和移走已被涂基底的晶圆和关闭该室;该方法包括:(1)打开该室入口阀,打开该出口阀,和使用该抽真空器具将该六甲基二矽氮烷源、该导管输送管、和该室抽真空;和(2)关闭该室入口阀,关闭该出口阀,和保持晶圆室与该导管在约-12到-17英寸水柱的压力,因此可避免基底材凝结在此晶圆步骤(e)和(a)间之该源、该导管输送管、和该室上;和重复步骤(a)到(e)和(1)到(2)。2.如申请专利范围第1项的方法,其中在该步骤(b)之后,将该晶圆在约115到125℃的温度,在约-12到-17英寸水柱的压力下烘焙约3到7秒将该晶圆脱水。3.如申请专利范围第1项的方法,其中该抽真空器具是一细腰管(venturi)。4.如申请专利范围第1项的方法,其中该抽真空器具是一真空泵。5.如申请专利范围第1项的方法,其中该晶圆室在晶片上涂基底期间保持在大约740托到780托(Torr)的压力。6.如申请专利范围第1项的方法,其中该晶圆室在晶片上涂基底期间保持在大约117到123℃的温度。7.如申请专利范围第1项的方法,其中该六甲基二矽氮烷基底材是由三氯苯矽烷(TCPS)、双三甲矽乙醯亚胺(BSA)、和二甲苯的组成的一组中选出的基底材。8.一种在镀光阻层之前在晶圆上涂敷六甲基二矽氮烷(HMDS)基底的改良方法;提供一具有一入口与一出口的晶圆室、一产生六甲基二矽氮烷蒸气的六甲基二矽氮烷源、一连接该六甲基二矽氮烷源与该晶圆室的导管、一位于该六甲基二矽氮烷源与该晶圆室间的导管上的室入口阀;该室入口阀具有开和关的位置、一连接该出口与一抽真空器具之出口输送管,该抽真空器具将该出口输送管、该晶圆室、该导管、和该六甲基二矽氮烷源抽真空、和一位于该室与该抽真空器具间的出口输送管上之出口阀,该出口阀具有开和关的位置;此方法包括:(a)打开该晶圆室,放置一晶圆进入该室内,和关闭该室;(b)关闭该室入口阀,打开该出口阀,用该抽真空器具将该晶圆室抽真空,关闭该抽真空器具;(c)引导一惰性气体进入该起泡器和打开该室入口阀而容许六甲基二矽氮烷蒸气流入该晶圆室,因而在该晶圆涂上六甲基二矽氮烷基底漆;(d)关闭该室入口阀,停止惰性气体进入该起泡器;使用该抽真空器具将该晶圆室抽真空和关闭该出口阀;(e)打开该室,移走已被涂基底的晶圆和关闭该出口阀;(f)打开该室入口阀和使用该抽真空器具将该起泡器、该导管输送管、和该室抽真空;(g)关闭该室入口阀和保持室与导管在约-12到-17英寸水柱的压力;和(h)重复以上步骤(a)到(g)。9.如申请专利范围第8项的方法,其中在该步骤(b)之后,该晶圆在约115到125℃的温度下,在约-12到-17英寸水柱的压力下烘焙约3到7秒将该晶圆脱水。10.如申请专利范围第8项的方法,其中该抽真空器具是一细腰管(venturi)。11.如申请专利范围第8项的方法,其中该抽真空器具是一真空泵。12.如申请专利范围第8项的方法,其中该晶圆室保持在大约740托到780托(Torr)的压力。13.如申请专利范围第8项的方法,其中在步骤(c)中该晶圆室保持在约117到123℃的温度。14.如申请专利范围第8项的方法,其中该六甲基二矽氮烷基底材是由三氯苯矽烷(TCPS)、双三甲矽乙醯亚胺(BSA)、和二甲苯的组成的一组中选出的基底材。15.一种在晶圆上镀光阻层之前涂敷六甲基二矽氮烷(HMDS)之装置;该装置包括:一具有一入口与一出口的晶圆室;一产生六甲基二矽氮烷蒸气之六甲基二矽氮烷源;一连接该六甲基二矽氮烷源与该晶圆室之导管;一位于该六甲基二矽氮烷源与该晶圆室之间的导管上之室入口阀;该室入口阀具有开和关的位置;一出口输送管连接该出口与一抽真空器具,该抽真空器具将该出口输送管、该晶圆室、该导管、和该源抽真空,和一位于该室与该抽真空器具之间的出口输送管上之出口阀,该出口阀具有开和关的位置;用此装置可进行防止基底材在该晶圆上凝结的方法如下:(a)打开该晶圆室和放置一晶圆进入该室内和和关闭该室;(b)关闭该室入口阀,打开该出口阀,和使用该抽真空器具将该晶圆室抽真空,关闭该抽真空器具;(c)从该六甲基二矽氮烷源引导六甲基二矽氮烷蒸气进入该导管,和打开该室入口阀而容许六甲基二矽氮烷流入该晶圆室,因而在该晶圆涂上六甲基二矽氮烷基底;(d)关闭该室入口阀,停止来自该源的六甲基二矽氮烷蒸气的导入;使用该抽真空器具将该晶圆室抽真空;和关闭该出口阀;(e)打开该室,移走已被涂基底的晶圆和关闭该出口阀;(f)打开该室入口阀,打开该出口阀,和使用该抽真空器具将该源头、该导管输送管、和该室抽真空;和(g)关闭该室入口阀,关闭该出口阀,和保持晶圆室与该导管在约-12到-17英寸水柱的压力,因此可避免基底材凝结在晶圆步骤(e)和(a)间之该源、该导管输送管、和该室上形成;和重复步骤(a)到(g)。16.如申请专利范围第15项的装置,其中该抽真空器具是一细腰管(venturi)。17.如申请专利范围第15项的装置,其中该抽真空器具是一真空泵。图式简单说明:第一图示晶圆之顶视图,该晶圆上有先前技艺的基底材凝结问题。第二图示本发明的在晶圆上形成一光阻剂层之前涂敷一基底在晶圆上的涂基底系统装置的简化示意图。 |
