| 主权项 |
1.一种蚀刻一氮化矽层于一晶圆上之方法,其中该晶圆有一半导体之底材,一氧化矽层形成于该半导体之底材之上及一氮化矽层形成于该氧化矽层之上,该方法包含:形成一光阻层于该氮化矽层之上;定义该光阻层之图案;根据该光阻层之图案而第一蚀刻该氮化矽层,其中该第一蚀刻操作于一第一组制程参数;根据该光阻层之图案而第二蚀刻该氮化矽层,其中该第二蚀刻操作于一第二组制程参数,其中该第二组制程参数之制程压力参数高于该第一组制程参数之制程压力参数;以及根据该光阻层之图案而第三蚀刻该氮化矽层,其中该第三蚀刻操作于一第三组制程参数,其中该第三组制程参数之制程压力参数高于该第二组制程参数之制程压力参数。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第一蚀刻制程有一氮化矽之蚀刻选择率比上氧化矽之蚀刻选择率之比値约为2。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第一蚀刻制程至少包含一电浆蚀刻制程。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中上述之电浆蚀刻制程至少包含使用HBr、SF6.及He气体。5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中上述之电浆蚀刻制程有一制程压力约为250mT。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第一蚀刻制程至少包含一反应性离子蚀刻制程。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之反应性离子蚀刻制程至少包含Ar及CF4气体。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之反应性离子蚀刻制程有一制程压力约为100-400mT。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第二蚀刻制程有一氮化矽之蚀刻选择率比上氧化矽之蚀刻选择率之比値约为5。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第一蚀刻制程至少包含一电浆蚀刻制程。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之电浆蚀刻制程至少包含使用HBr、SF6.及He气体。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之电浆蚀刻制程有一制程压力约为450mT。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第一蚀刻制程至少包含一反应性离子蚀刻制程。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述之反应性离子蚀刻制程至少包含Ar及CF4气体。15.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述之反应性离子蚀刻制程有一制程压力约为100-400mT。16.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第三蚀刻制程有一氮化矽之蚀刻选择率比上氧化矽之蚀刻选择率之比値约为10。17.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第三蚀刻制程至少包含一电浆蚀刻制程。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中上述之电浆蚀刻制程至少包含使用HBr、SF6.及O2气体。19.如申请专利范围第17项所述之方法,其中上述之电浆蚀刻制程有一制程压力约为650mT。20.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第一蚀刻制程至少包含一反应性离子蚀刻制程。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中上述之反应性离子蚀刻制程至少包含Ar及CF4气体。22.如申请专利范围第21项所述之方法,其中上述之反应性离子蚀刻制程有一制程压力约为100-400mT。23.一种蚀刻一氮化矽层于一晶圆上之方法,其中该晶圆有一半导体之底材,一氧化矽层形成于该半导体之底材之上及一氮化矽层形成于该氧化矽层之上,该方法包含:形成一光阻层于该氮化矽层之上;定义该光阻层之图案;根据该光阻层之图案而第一蚀刻该氮化矽层,其中该第一蚀刻操作于一第一组制程参数;根据该光阻层之图案而第二蚀刻该氮化矽层,其中该第二蚀刻操作于一第二组制程参数,其中该第二组制程参数之制程压力参数高于该第一组制程参数之制程压力参数约80%;以及根据该光阻层之图案而第三蚀刻该氮化矽层,其中该第三蚀刻操作于一第三组制程参数,其中该第三组制程参数之制程压力参数高于该第二组制程参数之制程压力参数约45%。24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中上述之第一蚀刻制程有一氮化矽之蚀刻选择率比上氧化矽之蚀刻选择率之比値约为2。25.如申请专利范围第23项所述之方法,其中上述之第二蚀刻制程有一氮化矽之蚀刻选择率比上氧化矽之蚀刻选择率之比値约为5。26.如申请专利范围第23项所述之方法,其中上述之第三蚀刻制程有一氮化矽之蚀刻选择率比上氧化矽之蚀刻选择率之比値约为10。图式简单说明:第一图及第二图所示为传统方法制作氮化矽层之结构的剖面结构图。第三图至第五图所示为本发明方法制作氮化矽层之结构的各个阶段剖面结构图。 |
