复合半导体之电极材料

摘要

本发明系有关于一种用于掺杂有ｐ型杂质之如下通式所示第ＩＩＩ－Ｖ族复合半导体之电极材料，ＩｎｘＧａｙＡｌｚＮ（惟ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦Ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１）其能提供良好欧姆接触（ ohmic contact），以及有关于一种应用此材料之电极，其能够降低使用该复合半导体之装置的驱动电压。此电极材料为包含至少Ｃａ与一贵金属之金属，其中该Ｃａ与贵金属的总重量在整个电极材料重量中，不少于５０ｗｔ％且不大于１００ｗｔ％。

主权项

1.一种电极材料,其系用于掺杂有p型杂质之如下通 式所 示第III-V族复合半导体,InxGayAlzN(惟x+y+z=1,0 ≦X≦1,0≦y≦1,0≦z≦1),此电极材料为包含至少Ca 与一贵金属之金属,其中该Ca与贵金属的总重在整 个电极 材料重量中,不少于50wt%且不大于100wt%。2.一种电 极,其系用于掺杂有p型杂质之如下通式所示第 III-V族复合半导体,InxGayAlzN(惟x+y+z=1,0≦X≦ 1,0≦y≦1,0≦z≦1),此电极系以如申请专利范围第1 项之电极材料形成在该复合半导体之上。图式简 单说明: 第一图为其他电极层积在本发明电极上所成电极 具体例之 截面图。第二图为实例1所制成之电极式样的图式 。第三 图为实例1与比较例1之电极电流与退火温度间的 关系图。