| 主权项 |
1.一种用于磨制氮化矽之方法,该氮化矽系悬浮于 液体中 ,其中磨制系自生地进行且存在于悬浮液中之氮化 矽比例 为至少30重量%。2.如申请专利范围第1项之方法,其 中该液体为一种会蒸 发但不会留下残余物之液体。3.如申请专利范围 第2项之方法,其中所述会蒸发但不会 留下残余物之液体包含低温液体,较佳为氮或氧或 氩或氢 或氦或为固态与液态二氧化碳之混合物或为固态 二氧化碳 与液态氮之混合物。4.如申请专利范围第1项之方 法,其中磨制系在搅拌之研 磨机中进行。5.如申请专利范围第1项之方法,其中 该氮化矽系用作直 径d50小于10m之粒状材料。6.如申请专利范围第1 项之方法,其中所使用之氮化矽在 该悬浮液中的比例为至少50重量%,较佳为60重量%, 特佳 为70重量%。7.一种由申请专利范围第1项之方法所 获得之氮化矽,系 用于制造阀。图式简单说明:第一图显示一座氮化 矽自生 磨制工厂,图中标号之意义分列如下: |
