渠沟化学机械平坦化的制程

摘要

一种渠沟化学机械平坦化的制程，在矽基底上依序沈积一垫氧化层，及一氮化矽层，然后进行渠沟隔离，在原来的宽渠沟区域中，形成一些模拟的窄渠沟，利用电浆加强型化学气相沈积法形成一氧化层，最后进行化学机械研磨平坦化过程，此研磨过程终止于矽基底之矽表面。

主权项

1.一种渠沟化学机械平坦化的制程,步骤包括:在一 矽基 底上沈积一垫氧化层;形成一氮化矽层于该垫氧化 层上; 在预定形成宽渠沟之区域,利用光罩上光阻,将该 氮化矽 层及该垫氧化层定义出复数个模拟窄渠沟;沈积一 氧化层 于整个该矽基底上;以及进行化学机械研磨平坦化 过程。2.如申请专利范围第1项所述之渠沟化学机 械平坦化的制 程,其中该氧化层之沈积,是利用四乙氧矽烷为反 应气体 ,经电浆加强型化学气相沈积法形成。3.如申请专 利范围第1项所述之渠沟化学机械平坦化的制 程,其中该化学机械研磨平坦化过程于接触到该矽 基底表 面上之矽终止。图式简单说明:第一图A至第一图C 为一般 平坦化之制程。第二图A至第二图C为利用模拟渠 沟的形成 改善平坦化的制程。