半导体处理装置

摘要

本发明乃有关：半导体晶片（wafer）之制造装置者，尤其是关于半导体晶片之蚀刻（etching）处理装置者。本发明之目的乃在提供：发生尘埃较少之一体型之半导体处理装置者。本发明之特征乃在提供发生尘埃较少之一体型半导体蚀刻（etching）处理装置。装置乃由：反应室、舟皿（boat）机构、马达、及密封（seal）机构等所成。该密封机构乃具有：在晶片（wafer）之旋转时作为非接触密封，而在晶片静止时则作为接触密封来作用之可动式密封机构。该可动式密封机构，乃为由伸缩自如之弹性构件所成膨胀弹性密封。增加该膨胀弹性封之内部气压，由此该膨胀弹性封之表面将与旋转轴接触而达成完全之密封。由内部气压之调节，将可控制密封之接触或非接触状态。由本发明之装置将可在蚀刻之全工程抑制尘埃之发生，良品率将可大幅提高。（参阅固１）

主权项

1.一种半导体处理装置,主要在处理半导体晶片(water)所用之装置中,其特征为由:反应室(Chamber);及在前述反应室内保持前述半导体晶片所用之保持机构;及赋与前述保持机构以旋转力所用之旋转动力源;及位在前述旋转动力源与前述保持机构之间,而将前述反应室内部从外部加以遮断所用之密封(seal)机构;等所构成;而该密封机构亦包括:在前述保持机构旋转时成为非接触密封,该保持机构在静止时则成为接触密封之可动式密封机构;等为构成者。2.如申请专利范围第1项所述之半导体处理装置中;前述密封机构之前述可动式密封机构,乃由伸缩自如之弹性构件所构成,而由内部之气体压力之增加使体积膨胀,密接于旋转轴而达成完全之密封者。3.如申请专利范围第2项所述之半导体处理装置中;前述密封机构乃进一步含有:磁性密封机构,而前述可动式密封机构与该磁性密封机构之间将被真空排气者。4.如申请专利范围第1项所述之半导体处理装置中;前述保持机构乃为将至少一枚之半导体晶片以一定间隔加以纵向叠层来保持之舟皿(boat)机构者。5.如申请专利范围第3项所述之半导体处理装置中;前述保持机构乃为将至少一枚之半导体晶片以一定间隔加以纵向叠层来保持之舟皿机构者。6.如申请专利范围第5项所述之半导体处理装置中;进一步具有:将前述半导体晶片向前述反应室搬入或搬出所用之昇降机构者。7.如申请专利范围第6项所述之半导体处理装置中;前述昇降机构乃由:从前述反应室机械地被遮蔽之滚珠丝杠(ball screw);及与前述滚珠丝杠螺合,使前述舟皿机构上下所用之导引构件;及使前述滚珠丝杠旋转所用之旋转驱动装置;等所构成者。图式简单说明:第一图本发明之半导体处理装置之理想实施例之断面图。第二图第一图之装置之密封机构之放大断面图。第三图第一图之装置之密封机构之放大断面图。