| 主权项 |
1.一种积体电路晶片,包括具有均匀闸极氧化物层的许多第一FET,以及每一侧边都由一沟槽加以隔离的许多第二FET,并且还包括:在该隔离沟槽中,沿着每一个第二FET之一侧边之一介电层;在该介电层中之一氧化催化剂;以及在介电层处,沿着第二FET侧边的闸极氧化物层是比在第二FET两侧边之间的闸极氧化物层还厚。2.根据申请专利范围第1项之积体电路晶片,其中许多第二FET还包括:在每一个第二FET之每一侧边上之一氧化物套环。3.根据申请专利范围第1项之积体电路晶片,其中:该介电层是一ONO层。4.根据申请专利范围第1项之积体电路晶片,其中:该氧化催化剂是钾。5.根据申请专利范围第1项之积体电路晶片,其中:每一侧边都由一沟槽加以隔离许多第一FET。6.一种积体电路晶片,包括具有均匀闸极氧化物层的许多第一FET,以及每一侧边都由一沟槽加以隔离的许多第二FET,并且还包括:在该隔离沟槽中,沿着每一个第二FET之一侧边之一ONO层;在该ONO层中的钾;以及在该ONO层处,沿着第二FET侧边的闸极氧化物层是比在第二FET两侧边之间的闸极氧化物层还厚。7.根据申请专利范围第1项之积体电路晶片,其中许多第二FET还包括:在每一个第二FET之每一侧边上之一氧化物套环。8.根据申请专利范围第6项之积体电路晶片,其中:每一侧边都由一沟槽加以隔离许多第一FET。图式简单说明:第一图是:在由一种先前技艺制程所制作之一DRAM中之一FET的一种横截面表示法。第二图A到第二图F表示:在形成一较佳实施例FET中的诸多步骤。第三图A到第三图C表示:在相同晶片上形成具有增强式闸极氧化物层的一些FET及具有未增强闸极氧化物层的一些FET中的诸多步骤。第四图是:氧化物层厚度Tox对钾浓度之一曲线图。第五图是:在根据一种先前技艺方法所生长之一FET转角处,得自一透射式电子显微镜(Transmission ElectronMicroscope,简称TEM)之一图像。第六图A到第六图B皆为:根据本发明所生长之诸FET的TEM图像。第七图是:包括着根据先前技艺所生长之FET,以及一较佳实施例FET的诸多电参数之一表。 |
