| 发明名称 |
Procédé de réalisation de dispositifs semiconducteurs à shunts ohmiques d'émetteur |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR1473005(A) |
申请公布日期 |
1967.03.17 |
| 申请号 |
FR19650036453 |
申请日期 |
1965.10.28 |
| 申请人 |
COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE |
发明人 |
TOULEMONDE JACQUES;GIRAUD PIERRE |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L27/082;H01L29/00;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/74 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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